买卖IC网 >> 产品目录 >> Si2366DS-T1-GE3 MOSFET 30 Volts 5.8 Amps 2.1 Watts datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

Si2366DS-T1-GE3

库存数量：4692
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 30 Volts 5.8 Amps 2.1 Watts
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 30 Volts 5.8 Amps 2.1 Watts
Si2366DS-T1-GE3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 20 V
漏极连续电流 5.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.03 Ohms
配置 Single
最大工作温度
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOT-23
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 Si2366DS-T1-GE3
SI2367DS
SI2367DS-T1-E3
SI2367DS-T1-GE3
SI2369DS-T1-GE3
SI2371EDS-T1-GE3
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深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129911934（手机优先微信同号） 史仙雁
  • Si2366DS-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 0.456 0.456
    10 0.386 3.86
    100 0.318 31.8
    250 0.276 69
    3,000 0.214 642.0001
    6,000 0 0